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IXTY1R6N50D2中文资料

IXTY1R6N50D2图片

IXTY1R6N50D2外观图

  • 大小：180KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
  • 标准包装：75
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：耗尽模式
  • 漏极至源极电压(Vdss)：500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.3 欧姆 @ 800mA，0V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：23.7nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：645pF @ 25V
  • 功率 - 最大：100W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
  • 包装：管件

IXTY1R6N50D2供应商

更新时间:2023-01-26 01:56:35
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