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IXTY1R6N50D2中文资料

IXTY1R6N50D2图片

IXTY1R6N50D2外观图

  • 大小:180KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
  • 标准包装:75
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:耗尽模式
  • 漏极至源极电压(Vdss):500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2.3 欧姆 @ 800mA,0V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:23.7nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:645pF @ 25V
  • 功率 - 最大:100W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装:TO-252,(D-Pak)
  • 包装:管件

IXTY1R6N50D2供应商

更新时间:2023-01-26 01:56:35
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